Intel planea el nodo 14A2 de segunda generación con arquitectura de alimentación doble cara para competir con TSMC y Samsung
por Antonio DelgadoLa carrera por el proceso de 1,4 nm se está acelerando. Mientras TSMC prepara sus fábricas A14 para el próximo año y Samsung fija 2029 para su producción en masa, Intel está revisando su hoja de ruta con su nuevo nodo 14A2, una evolución del 14A estándar que busca mejorar el rendimiento frente a la competencia.
El proceso 14A original utiliza una" red de entrega de energía trasera" (BSPDN) mediante su tecnología PowerDirect. La nueva variante 14A2 de segunda generación añade una arquitectura de alimentación de doble cara, alimentando el chip desde la parte frontal y trasera al mismo tiempo. Además, Intel busca reducir el tamaño del paso o "pitch" M0 de los 28 nm del 14A a 21 nm, lo que permitiría aumentar la densidad de transistores aprovechando mejor los equipos de litografía EUV.
El pitch M0 hace referencia a la distancia mínima que hay entre dos líneas consecutivas en la capa de interconexión del chip en su parte más cercana al silicio. Al reducir esta distancia, se pueden conseguir mayores densidades, pero bajar a 21 nanómetros supone ciertos problemas de resistencia que Intel ha solucionado haciendo que la alimentación trasera se mantenga como fuente principal, pero delegando parte del suministro de energía a la capa frontal del metal.
El mercado actual, presionado por la alta demanda de chips para IA, ha hecho que TSMC apenas pueda cubrir toda la demanda, lo que abre nuevas vías de negocio para la competencia, haciendo que compañías puedan encontrar en Intel nuevas opciones de fabricación de chips, ahora en auge y con las novedades que introducen sus nuevos procesos. 18A-P, 14A y 14A2.
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